دیتاشیت SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4062DY-T1-GE3
حجم فایل 89.304 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI4062DY-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 7.8W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 60nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3175pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 32.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.6V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.2mΩ@10V,20A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه